SK海力士宣布引进High-NA EUV:存储器业界首台量产型同类设备

浏览数:724    发布时间:2025/09/07 13:00:45

2023年末,ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机,型号为TWINSCAN EXE:5000,随后台积电和三星都引入了相同型号的光刻系统。业界普遍认为,High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。

SK海力士宣布,已将存储器业界首款量产型High-NA EUV(高数值孔径极紫外)光刻机引进韩国利川M16工厂,并举行了设备入厂庆祝仪式。多位ASML和SK海力士出席了当日举行的设备入厂仪式,庆祝引进下一代DRAM生产设备。

为了提升产品性能和生产效率,微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密,每块晶圆上可生产的芯片数量就越多,同时也能有效提高能效与性能。2021年SK海力士在第四代10nm级(1a)DRAM中首次引入EUV光刻技术,将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求,SK海力士决定引进超越现有EUV的下一代技术设备。

这次的High-NA EUV光刻机,型号为TWINSCAN EXE:5200B,属于首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备(NA 0.33)相比,其光学性能(NA 0.55)提升了40%,这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案,并将集成度提升2.9倍。

通过引进High-NA EUV设备,SK海力士将简化现有的EUV工艺,并加快下一代半导体存储器的研发进程,从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位,并进一步夯实技术领导力。

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  • 最后更新  2025/09/07 13:00:45
  • 最新版本  V9.94630.8
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  • 应用分类 ios-Android 性──交──性──乱老牛
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